Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.62: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Defektdichtebestimmung von epitaktisch hergestellten ZnSe / GaAs- Schichten — •B. Buda, C. Wang, D.J. As, D. Schikora, and K. Lischka — Universit"at Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Str. 100, D-33095 Paderborn

Die Lebensdauer von Laserdioden auf ZnSe-Basis ist stark von der Defektdichte der Schichten abh"angig. Deshalb ist es interessant die Defektdichte aus einfachen Photolumineszenzmessungen zu bestimmen. ZnSe/GaAs Schichten wurden mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt und mit Photolumineszenz (PL), Kathodolumineszenz (CL) und R"ontgenrockingkurven untersucht. An den Versetzungslinien lagern sich Defekte an, die in der Lumineszenz f"ur die Y-Linie (475 nm) verantwortlich sind. Die Versetzungsdichte kann deshalb direkt aus dem ortsaufgel"osten Kathodolumineszenz- Intensit"atsbild der Y-Line bei tiefen Temperaturen durch Abz"ahlen bestimmt werden. Die ermittelten Werte f"ur die Defektdichte sind direkt korreliert mit der Halbwertsbreite der Rockingkurven, die ebenfalls ein Mass f"ur die Defektdichte ist. Desweiteren zeigen unsere Untersuchungen einen eindeutigen Zusammenhang zwischen der Anzahl der Versetzungen und dem Verh"altnis der Y- zur Exzitonenline aus spektral aufgel"osten PL und CL- Messungen.