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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.70: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Mechanismen der stimulierten Emission zwischen 2 und 300 K in II-VI-Halbleiterlaserstrukturen — •M. Vehse, P. Michler, J. Gutowski, M. Beringer und D. Hommel — Institut fuer Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteinerstraße, D-28359 Bremen

Mit Hilfe von Zweistrahl-Anregungsspektroskopie wurde untersucht, ob unter Bedingungen der stimulierten Emission noch exzitonische Merkmale auftreten.
Hierfür wurde eine Serie undotierter (Zn,Cd)Se/Zn(S,Se)/(Zn,Mg)(S,Se)Laserstrukturen mit verschiedenen breiten Viel- und Einfachfachquantentrögen (6x3nm, 5x5nm, 10nm) temperaturabhängig untersucht.
Die Messungen im Temperaturbereich zwischen 2 und 300 K zeigen deutlich, daa es mit steigender Temperatur zu einem verstärkten Ausbleichen der exzitonischen Überhöhung in den Anregungsspektren kommt. W,hrend bei schmalen Quantentrögen auch bei hohen Temperaturen (150-300K) noch weit über der Schwelldichte eine exzitonische Überhöhung zu beobachten ist, kommt es bei breiten Quantentrögen (10 nm) schon bei 2 K oberhalb der Schwelle zu einem völligen Ausbleichen.
Die Messungen zeigen, inwieweit mit abnehmender Trogbreite und ansteigender Exzitonenbindungsenergie der exzitonische Charakter der stimulierten Emission zunimmt.