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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.72: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Fernfeldmessung an epitaktisch gewachsenen II-VI-Wellenleiterstrukturen — •C. Wendt1, P. Michler1, W. Ebeling1, J. Gutowski1, M. Beringer1, D. Hommel1, G. Eisert2 und D. Bacher21Institut fuer Festkörperphysik,Universität Bremen, Kufsteiner Str., D-28359 Bremen — 2Technische Physik,Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Die Wellenführung in optoelektronischen Bauelementen wird untersucht. Dazu wird Laserlicht direkt oder ueber ein Prisma in den Wellenleiter eingekoppelt und die Fernfeldintensität aufgenommen. Aus einer Anpassung theoretischer Nahfelder an die Messung können Brechungsindizes und Schichtdicken des Wellenleiters bestimmt werden. Die Eindeutigkeit der Anpassung wird analysiert.
Erste Messungen bei λ = 514.5 nm an einer 20 µm breiten Zn0.8Cd0.2Se/ZnS0.06Se0.94/ Zn0.85Mg0.15S0.27Se0.73 - Streifenlaserstruktur mit 5x 5 nm Zn0.8Cd0.2Se - Quantenfilmen ergaben fuer die quaternären Deckschichten den Brechungsindex n(Zn0.85Mg0.15S0.27Se0.73) = 2.52 bei einer Ausbreitungskonstanten β = 0.032 nm−1 für die 0. Mode. Daraus berechnet sich ein günstiger, optischer Einschlußfaktor Γ = 12.3 % des Wellenleiterfeldes mit den Quantenfilmen.
Hiervon unabhängig werden die Ausbreitungskonstanten des Wellenleiters mittels Prismenauskopplung bestimmt. Diese werden mit denjenigen, welche aus der Fernfeldmessung berechnet wurden, verglichen.

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