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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.78: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Herstellung und Charakterisierung der Si(111)(4×4)-S Oberfläche — •Th. Hahn, H. Metzner, J. H. Bremer, and Chr. Schmiga — II. Physikalisches Institut der Universit"at G"ottingen, Bunsenstra"se 7-9, 37073 G"ottingen, Germany

Die Terminierung von Silizium-Oberfl"achen mittels Schwefels ist insbesondere f"ur die Heteroepitaxie von II-VI und I-III-VI₂ Halbleitern von Bedeutung. Wir haben deshalb einen Hochtemperaturproze"s zur Schwefelterminierung von Silizium entwickelt. Im Falle der Si(111) Oberfl"ache finden wir mittels der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und der Augerelektronenspektroskopie (AES) eine neue, geordnete Oberfl"ache des Schwefeladsorbats. Die als (4×4) "Uberstruktur identifizierte S/Si(111) Oberfl"ache wird erfolgreich zur Epitaxie tern"arer Verbindungshalbleiter eingesetzt [1]. Die Anwendung des entwickelten Hochtemperaturprozesses auf die Si(100)(2×1)-Oberfläche wird diskutiert.

[1] H. Metzner, Th. Hahn, J. H. Bremer, and J. Conrad, Appl.  Phys.  Lett. 
69, 1900 (1996).