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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.79: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Photoemission und Inverse Photoemission an Cl-geätzen ZnSe(100)-Schichten — •Zhonghui Chen¹, C. Heske¹, D. Eich¹, R. Fink¹, T. Kümmell², A. Forchel² und E. Umbach¹ — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Zur Herstellung von Quantenstrukturen von II-VI-Halbleiter-Verbin- dungen werden zunehmend Trockenätzprozesse benutzt. Bei Verwendung von Chlor als Ätzsubstanz findet man im Vergleich zu anderen Prozessen eine erhöhte Defektkonzentration, die negative Auswirkungen auf die Bauelementeherstellung hat. Durch sukzessives Sputtern in Kombination mit Photoemissionsmessungen (XPS) wurde eine Tiefenprofilanalyse an mit MBE gewachsenen ZnSe(100)-Schichten durchgeführt. Die Sputterwirkungsquerschnitte wurden mit hoher Genauigkeit an ZnSe/ CdZnSe-Quantentrogstrukturen ermittelt. Wir finden, daß Chlor im wesentlichen nur in den ersten 5 Atomlagen eingebaut wird. Zur Bestimmung der elektronischen Struktur dieser modifizierten Oberflächen wurden UPS und Inverse Photoemissions-Messungen (IPES) zur Analyse der besetzten und unbesetzten Zustände durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit Messungen an sauberen ZnSe(100) Einkristalloberflächen verglichen. (Förderung durch die DFG im Rahmen des SFB 410, TP B3).