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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.83: Poster
Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z
Reflexionselektronenmikroskopische Untersuchungen an MBE-gewachsenen GaAs(100)-Oberflächen — •P. Kreutzer, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg
Es wurde GaAs mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(100)-Substraten
abgeschieden. Beim Wachstum und dem anschließenden Tempern unter
Arsengegendruck wurde die RHEED-Spekularstrahlintensität beobachtet.
Die Proben wurden dann mit der Methode
der Reflexionselektronenmikroskopie untersucht.
Dieses Verfahren ermöglicht eine großflächige
Abbildung der Oberfläche bei gleichzeitiger Auflösung
von monomolekularen Stufen und Inseln.
Bei nicht fehlorientierten Substraten zeigte
sich eine deutliche Abhängigkeit der Stufen- und Inseldichte von
der Substrattemperatur beim Wachstum und Tempern: Die
Stufenabstände wurden zu höheren Temperaturen
hin größer. Bei niedrigeren Temperaturen ließen sich kleine Inseln
zwischen den Stufen beobachten, deren Dichte mit zunehmender Temperatur
abnahm. Diese Abhängigkeiten konnten für 1∘
fehlorientierte
Proben nicht bestätigt werden; die Stufendichte blieb hier bei allen
Temperaturen etwa gleich.
Ferner wurde bei nicht fehlorientierten Proben die Dauer des
Temperns variiert: Bei kürzerem Tempern ergaben
sich deutlich größere Stufen- und Inseldichten.