Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.84: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Niob auf III/V-Halbleitern: XPS- und AFM-Untersuchungen dünner Schichten — •M. Schäfer, D. Junkereit, F. Herrmann, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Nb als Elementsupraleiter mit der höchsten Sprungtemperatur eignet sich sehr gut zur Untersuchung von Supraleiter(SL)-Halbleiter(HL)-Kontakten. Als HL-Substrate dienten MBE-gewachsene GaAs(100)- und, nach Abheizen einer durch Ozonbehandlung erzeugten Passivierungsschicht, kontaminationsfreie InAs(100)-Oberflächen. Die Nb-Deposition erfolgte im UHV mittels Elektronenstrahlverdampfung, der untersuchte Schichtdickenbereich erstreckte sich von wenigen Monolagen bis hin zu geschlossenen Schichten. In-situ durchgeführte, röntgenangeregte Elektronenspektroskopie (XPS) ermöglichte Rückschlüsse auf die elektronische Struktur und chemische Bindungsverhältnisse sowie die Tiefenverteilung der auftretenden Verbindungen. Bei den dünnen Schichten zeigt sich unter anderem ein hoher Anteil an NbAs. Die an Luft durchgeführten AFM-Untersuchungen bekräftigen diese starke Wechselwirkung zwischen dem Deposit und dem Substrat im Vergleich zu weitgehend inerten Elementen wie Au.