Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.87: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Photoelektronenspektroskopie und Dichtefunktionaltheorie zum Sn/InP(110)-Interface mit As-Zwischenschicht — •S. Sch"omann¹, T. Chassé¹, P. Richard², and S. Bl"ugel² — ¹Institut f"ur Physikalische und Theoretische Chemie, Universit"at Leipzig, Linnestr. 2, 04103 Leipzig — ²Institut f"ur Festk"orperforschung des Forschungszentrums J"ulich, 52425 J"ulich

Die Modifizierung der Eigenschaften von Halbleitergrenzfl"achen wird gegenw"artig intensiv verfolgt. Wir berichten "uber kombinierte, experimentelle und theoretische Untersuchungen mit hochaufl"osender (S)XPS / UPS sowie DFT an Sn/InP(110)-Interfaces, die durch den Einbau von einer As-Monolage modifiziert wurden. Die DFT-Rechnungen st"utzen experimentelle Resultate zur Stabilit"at der As-Monoschicht auf InP(110) [1]. Die Entwicklung der SXPS-Signale und energetische Betrachtungen der DFT lassen auf einen Austausch von As und Sn an der Grenzfl"ache schlie"sen. Das an der Grenzfl"ache verbleibende As s"attigt die urspr"unglich als unbesetzte dangling bond-Zust"ande vorliegenden In-Bindungen ab. Die Schottky-Barriere wird um 0,25 eV abgesenkt. In guter "Ubereinstimmung zum Experiment liefern die DFT-Rechnungen ebenfalls eine Verschiebung des Ferminiveaus um ca. 0,2 eV.

[1] T.Chassé, G. Neuhold, K.Horn, Surf. Sci.331-332, 511 (1995)