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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.89: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Schichtdickenabhängige Schottky-Barriere bei IrSi(0.5-20nm)/Si — •Dieter Wörle, Holger Grünleitner und Max Schulz — Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

Iridiumfilme (0.5-20nm) wurden durch Elektronenstrahlverdampfen auf Silizium Substrate aufgebracht und im Lichtofen (RTA) bei 500^oC zu IrSi siliziert. Die Dicke der Filme und die stöchiometrische Zusammensetzung wurde mit Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) bestimmt. Zusätzlich wurde durch Particle Induced X-Ray Emission (PIXE) der Sauerstoffgehalt der Filme ermittelt. Die Kontamination variert nur schwach über den gesamten Schichtdickenbereich. Die Schottkybarriere der IrSi/Si Dioden wurde mittels Strom-Spannungs-Kennlinien und Infrarot-Responsivitätsmessungen bestimmt. Sie fällt mit zunehmender Siliziddicke (0.5nm-15nm) kontinuierlich von 190meV auf 140meV ab. Die Infrarot-Detektor- Responsivität zeigt ein Maximum bei einer Schichtdicke von 5nm.