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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.8: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Die spektrale Empfindlichkeit von GaAsP/Au Schottky– Photodioden: Messung und Modell — •H. Henneken, F. Scholze und G. Ulm — Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, D-10587 Berlin

Die spektrale Empfindlichkeit von GaAsP/Au Schottky–Photodioden wurde im PTB–Labor bei BESSY mit monochromatisierter Synchrotronstrahlung durch Vergleich mit einem Kryoradiometer als primäres Empfängernormal im Bereich von 42 eV bis 1900 eV gemessen. In Analogie zur Beschreibung von Silicium–pn–Dioden [1] wurde ein Modell entwickelt, das Verluste durch die Rekombination an der Halbleiter–Metall–Grenzfläche, durch die Transmission von Photonen und die Emission von erzeugten Photonen bzw. Elektronen berücksichtigt. Der Beitrag der in der Goldschicht erzeugten Elektronen wird ebenfalls einbezogen. Die spektrale Empfindlichkeit der Photodioden im weichen Röntgenbereich wird im wesentlichen durch die Photoabsorption in der Goldschicht bestimmt. Bis auf die Paarerzeugungsenergie und die Absorptionskoeffizienten der Diodenmaterialien können alle in das Modell eingehenden Parameter aus der Messung des Photostroms in Abhängigkeit vom Einfallswinkel der Synchrotronstrahlung bestimmt werden.

[1] F. Scholze, H. Rabus, G. Ulm, Appl. Phys. Lett. 69, 2974 (1996)