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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.90: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Lokales Schreiben von ultradünnen PtSi-Filmen auf Si mit einem fokussierten Laserstrahl — •C.R. Schwarz1, V. Demuth2, R. Schmiedl3 und M. Schulz11Lehrstuhl Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7, 91058 Erlangen — 2Lehrstuhl Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen-Nürnberg — 3Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg

Ultradünne Platinfilme (d=2-5 nm) werden durch Elektronenstrahlverdampfung gleichförmig auf Si(100) aufgebracht und anschließend mit einem fokussierten Ar-Ionenlaser (λ=514 nm) lokal zu PtSi siliziert. Die lokale Siliziertemperatur wird mit Hilfe einer gekühlten CCD-Kamera bestimmt, die im nahen Infrarot betrieben wird. Da die silizierten und die unsilizierten Pt-Bereiche eine unterschiedliche Schottky-Barrierenhöhe (SBH) aufweisen, lassen sich die erzeugten PtSi-Strukturen durch Messung des lokalen Infrarot-Photostroms als Funktion des Ortes (IR-OBIC) sichtbar machen. Die gemessenen lokalen PtSi-Materialeigenschaften sind vergleichbar mit den Eigenschaften von PtSi, das mittels Kurzzeittempern (RIA) oder im Ofen hergestellt worden ist. Die SBH der laser-silizierten Bereiche ist ΦB = 225 meV für PtSi auf p-Si. AES- und TEM-Messungen bestätigen die Silizierung von Pt zu PtSi.

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