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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.92: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Nachweis von Strahlenschäden bei der Sputterabscheidung von GaN auf Si und GaAs — •P. Thiele(1), M. Bouafia(2), A. Seghir(2) und U. Müller-Jahreis(1) — Humboldt-Universität zu Berlin(1), Université Ferhat-Abbas de Sétif(2)

Strahlenschäden sind bei der Sputter-Deposition zu erwarten. Vorge-stellt wird eine ellipsometrische Methode zur Untersuchung von Strahlenschäden im Substrat. Das Verfahren gestattet eine Quantifizierung des Strahlenschadens im Nanometer-Bereich und ist damit für die in-situ Charakterisierung sowie für die Untersuchung von Ausheilprozessen unter dielektrischen Schutzschichten besonders geeignet.
Getestet wurde die Methode an den Systemen GaN/Si und GaN/GaAs. Abscheideparameter der RF-gesputterten GaN-Schichten werden mitgeteilt.