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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.9: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Elektrolumineszenz von Er- und O-dotierten Si-Dioden — •E. Neufeld¹, J. Stimmer¹, A. Reittinger¹, G. Abstreiter¹, H. Holzbrecher² und Ch. Buchal³ — ¹Walter Schottky Institut, TU München, D-85748 Garching — ²ZCH, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ³ISI 2, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

In ein Wirtsmaterial eingebaute Er³⁺-Ionen können bei geeigneter lokaler Umgebung zur Lichtemission bei 1,54 µm, der Wellenlänge, bei der das Absorptionsminimum in SiO₂-Glasfasern liegt, angeregt werden.
Wir berichten über Er- und O-dotierte Si-Leuchtdioden, die mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt wurden und die charakteristische 1,54 µm-Lumineszenz des Intra-4f-Übergangs von Er³⁺ zeigen.
Bei Polung der LED in Vorwärtsrichtung wird ein deutlicher Rückgang der Lumineszenzintensität mit steigender Temperatur beobachtet (4K bis 300K). In Sperrichtung hingegen ist die Lumineszenz einerseits schon bei tiefen Temperaturen beträchtlich stärker als in Vorwärtsrichtung, andererseits zeigt sie bis zu 300K nur eine sehr geringe Intensitätsabnahme.
Im Hinblick auf Wellenleiterführung des emittierten Lichtes ist im nächsten Schritt Er-Dotierung von SiGe-Schichten mit variierendem Ge-Gehalt geplant.