Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
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15:30 | HL 11.1 | Raumtemperatur - Lumineszenz von Si/SiO2 - Mischschichten — •M. Kreter und H. Fröb |
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15:30 | HL 11.2 | Tunnelbauelemente mit negativ differentiellem Widerstand auf Si-Basis? — •R. Oberhuber, G. Zandler und P. Vogl |
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15:30 | HL 11.3 | Optische Untersuchungen an Halbleiter-Supraleiter Josephsonelementen — •G. Bastian, T. Weimann, J. Niemeyer und E.O. Göbel |
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15:30 | HL 11.4 | Gezielte Erzeugung von sauerstoff-induzierten Defekten in Si-lizium-Einkristallen zur Anwendung als Röntgenmonochromator — •C. Retsch, S. Keitel, C. Oeser, H. Schulte-Schrepping und J.R. Schneider |
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15:30 | HL 11.5 | Ladungsträger- und Photonendynamik in optisch angeregten AlGaInP Laserstrukturen — •J. Schwarz, P. Ernst, J. Kuhn, H.-P. Gauggel, J. Wang, R. Winterhoff, F. Scholz und H. Schweizer |
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15:30 | HL 11.6 | Herstellung und Charakterisierung von PIN-Photodiode und PJBT für ein monolithisch integriertes Empfänger-Frontend auf GaAs-Basis — •F. Dillmann, A. Brennemann, M. Marso, Th. Korst, P. Kordoš, H. Lüth und F.J. Tegude |
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15:30 | HL 11.7 | Analyse des Lochtransports in rein optischen InGaAs(P)/InP Schaltstrukturen — •T. Riedl, C. Knorr, E. Fehrenbacher, D. Ottenwälder, M. Geiger, F. Scholz und A. Hangleiter |
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15:30 | HL 11.8 | Die spektrale Empfindlichkeit von GaAsP/Au Schottky– Photodioden: Messung und Modell — •H. Henneken, F. Scholze und G. Ulm |
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15:30 | HL 11.9 | Elektrolumineszenz von Er- und O-dotierten Si-Dioden — •E. Neufeld, J. Stimmer, A. Reittinger, G. Abstreiter, H. Holzbrecher und Ch. Buchal |
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15:30 | HL 11.10 | AlGaAs-nipi-Reflexionsmodulatoren mit senkrechtem Lichteinfall — •F. Köhler, B. Knüpfer, W. Geißelbrecht, M. Welker, W. Fix, C. Oehler, L. Kilian und G. H. Döhler |
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15:30 | HL 11.11 | Logikoperationen mit hybriden NIPI-Smart-Pixels — •M. Welker, F. Köhler, B. Knüpfer, W. Fix, Ch. Oehler, N. Müller, M. Krach, P. Kiesel, W. Geisselbrecht und G. H. Döhler |
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15:30 | HL 11.12 | Thermochemical Polishing of Polycrystalline CVD Diamond Films — •Alexander Zaitsev, Gabriele Kosaca, Alexander Melnikov, Valeri Varichenko, Reinhart Job, and Wolfgang Fahrner |
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15:30 | HL 11.13 | Selection of Diamond Substrates by Cathodoluminescence for Electronic Applications — •A. A. Melnikov, A. M. Zaitsev, V. S. Varichenko, A. V. Denisenko, and W. R. Fahrner |
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15:30 | HL 11.14 | P-i-n Diodes on CVD Diamond Films — •A.A. Melnikov, A.M. Zaitsev, P. Koidl, W.R. Fahrner, V.S. Varichenko, and N.M. Penina |
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15:30 | HL 11.15 | Winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie an CVD C(100) Diamantfilmen unterschiedlicher Homogenität — •M. Lübbe und D.R.T. Zahn |
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15:30 | HL 11.16 | Optische Absorption in N- und B-dotiertem CVD- und synthetischem Diamant — •E. Rohrer, C.E. Nebel und M. Stutzmann |
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15:30 | HL 11.17 | Optische Absorption unter Licht-Bias im Amorphem Silizium — •Thomas Unold, Howard Branz und Gottfried Bauer |
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15:30 | HL 11.18 | Optische Bauelemente in lumineszierenden a−Si1−x Cx : H (O,N) Dünfilmwellenleitern — •J. Niemann, J. Seekamp, D. Rüter und W. Bauhofer |
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15:30 | HL 11.19 | Hall-Effekt- und Thermokraft Untersuchungen an undotierten µc-Si:H-Schichten — •D. Ruff, H. Mell und W. Fuhs |
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15:30 | HL 11.20 | Hochwertiges a-Ge:H durch indirektes Bombardement bei der anodischen Abscheidung mittels PCVD — •A. Diez, F. Rohde und T. Drüsedau |
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15:30 | HL 11.21 | Elektrischer Transport in amorphen Halbleitermaterialien aus dem System Si-B-C-N — •Ulrich Eins, Joachim Bill, and Fritz Aldinger |
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15:30 | HL 11.22 | Optimierung von p-Kontakten auf ZnSe Dioden — •J. Nürnberger, W. Faschinger, R. Schmitt, M. Korn, M. Ehinger, S. Scholl und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.23 | Phasenrelaxation von Exzitonen in ZnxMg1−xSe/ZnSe Einfachquantentrögen — •A. Schätz, H.-P. Wagner, R. Maier, T. Frey, T. Reisinger und W. Gebhardt |
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15:30 | HL 11.24 | Optische Untersuchungen an dotiertem MOVPE- und MBE-ZnSe — •H. Hamadeh, H. Kalisch, M. Lünenbürger, W. Taudt, J. Müller, A. Hardt und M. Heuken |
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15:30 | HL 11.25 | Photoemissionsuntersuchungen an heteroepitaktischen Hg(Cd)Te/CdTe(100) Schichten — •D. Eich, Z. Chen, C. Heske, S. Oehling, C.R. Becker, R. Fink und E. Umbach |
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15:30 | HL 11.26 | Bestrahlungsinduzierte Defektstruktur in II-VI Halbleitern — •A.G. Balogh, W. Puff, H. Baumann und F. Dworschak |
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15:30 | HL 11.27 | β-NMR Untersuchungen am System Li in ZnSe — •K. Marbach, M. Heemeier, B. Ittermann, F. Kroll, F. Mai, P. Meier, H. Ackermann, H.-J. Stöckmann, U. Georg, M. Keim, R. Neugart, M. Neuroth, S. Wilbert, P. Lievens und ISOLDE-Collaboration |
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15:30 | HL 11.28 | β -NMR Messungen an 12B in CdTe — •W.-D. Zeitz, E. Oldekop, V. Eyert, S. Hermann, F. Niedermeyer und M. Wienecke |
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15:30 | HL 11.29 |
Strukturelle Eigenschaften von Beryllium-haltigen Übergitterstrukturen auf GaAs(001)-Substraten — •Th. Walter, D. Gerthsen, Th. Litz, A. Waag und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.30 | Magnetische Resonanzuntersuchungen an hochohmigem undotiertem CdZnTe — •T. Wimbauer, M. S. Brandt, D. M. Hofmann, A. Schwarz, A. Hofstaetter und B. K. Meyer |
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15:30 | HL 11.31 | Dotierungsabhängige Diffusion des Cd in ZnCdSe/ZnSe-Übergittern — •M. Kuttler, M. Strassburg, U.W. Pohl, D. Bimberg, E. Kurtz, G. Landwehr und D. Hommel |
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15:30 | HL 11.32 | Ab initio calculation of the electronic structure and surface core-level shifts of the CdTe (001) surface — •A. Fleszar and W. Hanke |
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15:30 | HL 11.33 | PAC-Studie zur Li-Dotierung von In2S3 — •M. Uhrmacher, P. Schaaf, H. Metzner, C. Branci, A. Krämer, J.C. Jumas und J. Olivier-Fourcade |
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15:30 | HL 11.34 | REELS-Messungen an CdTe(001)- und ZnSe(001)-Oberflächen — •H. Dröge, M. Nagelstraßer, A. Fleszar, W. Hanke und H.-P. Steinrück |
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15:30 | HL 11.35 | Elektronische und geometrische Strukturuntersuchungen von epitaktisch gewachsenen BeTe(100) Schichten — •M. Nagelstrasser, H. Dröge, F. Fischer, T. Litz, A. Waag, G. Landwehr und H.-P Steinrück |
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15:30 | HL 11.36 | Untersuchung der Selbstkompensation in CdTe mit der PAC Spektroskopie — •Udo Reislöhner, Thomas Licht, Michael Rüb, Michael Uhrmacher und Wolfgang Witthuhn |
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15:30 | HL 11.37 | Elektronische Korrelationen in II-VI Halbleitern — •Martin Albrecht, Beate Paulus, Peter Fulde und Hermann Stoll |
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15:30 | HL 11.38 | Diffusion von Exzitonen in dünnen ZnSe-Schichten — •G. Bley, U. Neukirch und J. Gutowski |
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15:30 | HL 11.39 | Time resolved photoluminescence measurements on ZnSe-ZnTe superlattices — •K. Suzuki, G. Bley, K. Wundke, U. Neukirch, and J. Gutowski |
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15:30 | HL 11.40 | Akustoelektrische Stromsättigung in polykristallinen Zinkoxydfilmen — •T. Pompe, C. Laubschat, V. Srikant und D.R. Clarke |
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15:30 | HL 11.41 | Grenzflächenzustände in invertiert halbleitenden HgTe/HgCdTe-Übergittern — •A. Pfeuffer-Jeschke, M. von Truchsess, V. Latussek, C.R. Becker, E. Batke und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.42 | Magnetic Polaron and complex magnetic Order in (Cd,Mn)Te Structures. — •A.L. Chudnovskiy, B. Rosenow, and R. Oppermann |
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15:30 | HL 11.43 | Elektrische Feldgradienten in nichtkubischen Halbleitern - Allelektronenrechnungen — •M. Dietrich, J. Kortus, W. Cordts und S. Unterricker |
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15:30 | HL 11.44 | Zwei- und Dreiphotonen-Spektroskopie an ZnO unter uniaxialem Druck — •J. Wrzesinski und D. Fröhlich |
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15:30 | HL 11.45 | Gitterdynamik und dynamische Transporteigenschaften von MBE-hergestellten Berylliumchalkogenidschichten — •R. Kruse, C. Becker, U. Küster, J. Woitok, J. Geurts, J-J. Liang, H. Lugauer, F. Fischer, T. Litz, A. Waag und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.46 | Magneto-optische Spektroskopie an ZnSe/ZnMnSe Quantendots — •P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Happ und T. Henning |
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15:30 | HL 11.47 | Thermische Stabililität von BeTe/ZnSe-Heterostrukturen — •M. Strassburg, M. Kuttler, U.W. Pohl, D. Bimberg, H.J. Lugauer, A. Waag und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.48 | In situ Messung der Zn-Desorption von einer GaAs (100) 2x4 Oberfl"ache — •C. Schumacher, W. Spahn, A. Gerhard, W. Faschinger, and G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.49 | Hochaufgelöste Röntgenbeugung bei hohen und tiefen Temperaturen — •R.J. Hellmig, H.R. Reß, T. Gerhard, W. Spahn, W. Faschinger und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.50 | Lumineszenz an kompensiertem CdTe — •A. Keller, L. Worschech, W. Ossau, K. Ortner, C. Becker, F. Fischer und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.51 | Uniaxiale und planare Verspannung von Störstellenkomplexen in ZnSe/GaAs Schichten — •L. Worschech, W. Ossau, H. Schäfer und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.52 | Bestimmung der Gitterparameter von Be-Chalkogeniden — •R. Gall, S. Gundel, T. Litz, T. Gerhard, W. Faschinger und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.53 | Untersuchungen an tiefen Störstellen in ZnSe auf GaAs mittels DLTS und DLOS — •G. Prösch, K. Hellig, A. Schneider, R. Beyer, M. Behringer, M. Fehrer, D. Hommel und D. R. T. Zahn |
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15:30 | HL 11.54 | Effekt konkurrierender Spaltebenen auf die Oberfl"achenmorphologie von hexagonalen II-VI-Verbindungshalbleitern — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban |
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15:30 | HL 11.55 | Optimierung der ZnSe/GaAs-Substrat Grenzfl"ache durch Substratvorbehandlung — •W. Taudt, A. Hardt, J. M"uller, H. Hamadeh, and M. Heuken |
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15:30 | HL 11.56 | Berechnung struktureller Eigenschaften von II-VI-Halbleitern und Oberflächen mit ab-initio-Simulationen — •S. Gundel, W. Spahn, A. Kley, W. Faschinger und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.57 | Pd- (N, P, As)- Defektkomplexe in II-VI-Halbleitern — •S. Hermann, H.-E. Mahnke, B. Spellmeyer, M. Wienecke, B. Reinhold, R.A. Yankov und H.-E. Gumlich |
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15:30 | HL 11.58 | Lineare optische Eigenschaften ultradünner, hochverspannter CdS/ZnS–Quantenstrukturen — •C. Märkle, W. Petri, M. Hetterich, M. Grün und C. Klingshirn |
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15:30 | HL 11.59 | Charakterisierung von MOCVD gewachsenen ZnSe/ZnSSe und ZnCdSe/ZnSSe Übergittern — •R. Engelhardt, M. Strassburg, M. Kuttler, U.-W. Pohl und D. Bimberg |
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15:30 | HL 11.60 | In-situ Untersuchungen des Wachstums von ZnSe auf GaAs(001) mit spektroskopische Ellipsometrie und RAS — •U. Rossow, J. Weise, Th. Wethkamp, K. Wilmers, U.W. Pohl, R. Giebler, Th. Werninghaus, and W. Richter |
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15:30 | HL 11.61 | Untersuchungen zur Phasenstabilit"at von CdS/GaAs(001) Epitaxieschichten — •A. Dinger, W. Petri, C. Maerkle, M. Hetterich, S. Petillon, M. Gr"un, C. Klingshirn, J. T"ummler, and J. Geurts |
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15:30 | HL 11.62 | Defektdichtebestimmung von epitaktisch hergestellten ZnSe / GaAs- Schichten — •B. Buda, C. Wang, D.J. As, D. Schikora, and K. Lischka |
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15:30 | HL 11.63 | STM-Charakterisierung einzelner Phosphor-Donatoratome auf der Si(111) Oberfläche — •C. Sürgers, T. Trappmann, and H. v. Löhneysen |
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15:30 | HL 11.64 |
Rasterkraftmikroskopie an InGaAs/InP Quantenstrukturen auf strukturierten Substraten — •D. Wüllner, P. Bönsch, H.-H. Wehmann, A. Schlachetzki, S. Kipp und R. Lacmann |
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15:30 | HL 11.65 | Modellbeschreibung der Ballistischen Elektronen-Emissions Mikroskopie — •R. Menegozzi, P.-G. Reinhard und M. Schulz |
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15:30 | HL 11.66 | Untersuchuchung von II-VI/III-V-Halbleiterheterostrukturen und optoelektronischen Bauelementen mittels Rasterkraft- und Elektronenmikroskopie — •R. Ebel, W. Spahn, J. Nürnberger, M. Ehinger, W. Faschinger und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.67 | Optische Nah–Feld Antwort von Halbleiter Quantenpunkten — •B. Hanewinkel, A. Knorr, P. Thomas und S. W. Koch |
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15:30 | HL 11.68 | Herstellung von SNOM-Spitzen — •F. Poser, D. Pahlke, C. Gremzow, N. Esser und W. Richter |
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15:30 | HL 11.69 | Simulation des optischen Response von Mikroresonatoren am Stopp-Band — •Günther Jungk |
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15:30 | HL 11.70 | Mechanismen der stimulierten Emission zwischen 2 und 300 K in II-VI-Halbleiterlaserstrukturen — •M. Vehse, P. Michler, J. Gutowski, M. Beringer und D. Hommel |
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15:30 | HL 11.71 | Degradationerscheinungen an ZnSe Laserdioden — •D. Albert, B. Olszowi, B. Rau, W. Spahn, J. Nürnberger, R. Ebel, K. Schüll, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger und G. Landwehr |
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15:30 | HL 11.72 | Fernfeldmessung an epitaktisch gewachsenen II-VI-Wellenleiterstrukturen — •C. Wendt, P. Michler, W. Ebeling, J. Gutowski, M. Beringer, D. Hommel, G. Eisert und D. Bacher |
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15:30 | HL 11.73 | Halbleiterlaser unter gleichzeitiger Anwendung hydrostatischen und uniaxialen Druckes — •F. Widulle, T. Held, A. Adams, R. Kotitschke, G. Strehl, M. Pietralla und H.D. Hochheimer |
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15:30 | HL 11.74 | Elektronische Struktur der Si(111):Sn-(√3×√3) R30o Oberfläche — •R. Spettmann, K. Schroeder, S. Blügel und P. Entel |
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15:30 | HL 11.75 | Laserdesorption von Halbleiter–Oberflächen — •T. Bobek, S. Facsko, C. Trappe und H. Kurz |
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15:30 | HL 11.76 | Beiträge von Oberflächenresonanzzuständen zu STM Aufnahmen am Beispiel von (110) Oberflächen von III-V Halbleitern — •B. Engels, P. Richard, K. Schroeder, S. Blügel, Ph. Ebert und K. Urban |
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15:30 | HL 11.77 | Spektroskopische Ellipsometrie an atomar glatten H-terminierten, atomar rauhen und oxidierten Si(111)- und (100)- Oberflächen — •M. Rebien, H. Angermann und W. Henrion |
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15:30 | HL 11.78 | Herstellung und Charakterisierung der Si(111)(4×4)-S Oberfläche — •Th. Hahn, H. Metzner, J. H. Bremer, and Chr. Schmiga |
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15:30 | HL 11.79 | Photoemission und Inverse Photoemission an Cl-geätzen ZnSe(100)-Schichten — •Zhonghui Chen, C. Heske, D. Eich, R. Fink, T. Kümmell, A. Forchel und E. Umbach |
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15:30 | HL 11.80 |
Photoemissionsspektroskopie an Se-modifizierten Metall/ GaAs(100) Schottky-Kontakten — •St. Hohenecker, A. Patchett, D. Drews, S. Morley, W. Braun und D.R.T. Zahn |
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15:30 | HL 11.81 | Fe auf MBE-GaAs(100): Spektroskopische Untersuchungen dünner Schichten — •T. Wiegner, F. Herrmann, T. Franke und M. Harsdorff |
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15:30 | HL 11.82 | Rasterkraftmikroskopische Untersuchungen von MBE-gewachsenen GaAs(100 )-Oberflächen — •T. Zacher, T. Franke, W. Naumann und M. Harsdorff |
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15:30 | HL 11.83 | Reflexionselektronenmikroskopische Untersuchungen an MBE-gewachsenen GaAs(100)-Oberflächen — •P. Kreutzer, T. Franke und M. Harsdorff |
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15:30 | HL 11.84 | Niob auf III/V-Halbleitern: XPS- und AFM-Untersuchungen dünner Schichten — •M. Schäfer, D. Junkereit, F. Herrmann, T. Franke und M. Harsdorff |
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15:30 | HL 11.85 | Au auf MBE-GaAs(100): Elektronische Struktur und morphologische Eigenschaften — •F. Herrmann, H. Bluhm, T. Franke und M. Harsdorff |
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15:30 | HL 11.86 | Modellhamiltonoperator f"ur das zweidimensionale Fr"ohlich-Polaron — •J. R"oseler and M. Hartmann |
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15:30 | HL 11.87 | Photoelektronenspektroskopie und Dichtefunktionaltheorie zum Sn/InP(110)-Interface mit As-Zwischenschicht — •S. Sch"omann, T. Chassé, P. Richard, and S. Bl"ugel |
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15:30 | HL 11.88 | Transfer ballistischer Elektronen durch Au-Filme auf Si(111) — •Christian Manke, Yvonne Bodschwinna-Kangarakis und Max Schulz |
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15:30 | HL 11.89 | Schichtdickenabhängige Schottky-Barriere bei IrSi(0.5-20nm)/Si — •Dieter Wörle, Holger Grünleitner und Max Schulz |
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15:30 | HL 11.90 | Lokales Schreiben von ultradünnen PtSi-Filmen auf Si mit einem fokussierten Laserstrahl — •C.R. Schwarz, V. Demuth, R. Schmiedl und M. Schulz |
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15:30 | HL 11.91 | Charakterisierung von Dangling-Bond Defekten am Si/SiO2-Interface — •Jürgen Albohn, N.D. Sinh, K. Kliefoth und W. Füssel |
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15:30 | HL 11.92 | Nachweis von Strahlenschäden bei der Sputterabscheidung von GaN auf Si und GaAs — •P. Thiele(1), M. Bouafia(2), A. Seghir(2) und U. Müller-Jahreis(1) |
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15:30 | HL 11.93 | STM- und BEEM- Messungen an UHV-präparierten Siliziden — •Y. Bodschwinna-Kangarakis und M. Schulz |