Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 13: Heterostrukturen

HL 13.1: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:30–10:45, H1

Volumenphotovoltaischer Effekt in modulationsdotierten GaAs /AlGaAs-Quantenfilmen — •C. Schönbein, H. Schneider, J. Fleissner und G. Bihlmann — Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg

Wir berichten über das photovoltaische Verhalten einer modulationsdotierten GaAs/Al_xGa_1−xAs-Quantenfilmstruktur mit asymmetrischen, resonanten Zuständen in den Barrieren. Dieser volumenphotovoltaische Effekt tritt auf bei optisch induzierten Intersubbandübergängen im fernen Infrarot (10 µm). Ursache hierfür ist eine asymmetrische Form des Barrierenpotentials, welche durch die Modulationsdotierung sowie die Verwendung von zwei unterschiedlichen Al-Konzentrationen im Barrierenbereich erzielt wird. Die Asymmetrie führt zu einer gerichteten, ballistischen Emission der angeregten Ladungsträger in resonante, im Barrierenbereich lokalisierte Zustände, sowie zu einer asymmetrischen Rückrelaxation. Unsere experimentellen Ergebnisse erlauben eine Abschätzung der mit diesem Transportmechanismus verbundenen Emissionswahrscheinlichkeiten. Die Rückrelaxation bestimmt das Zeitverhalten der Photoresponse, welches ebenfalls diskutiert wird.