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Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Si/Ge I

HL 14.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 11:00–11:15, H2

Neuartiger metastabiler Ordnungszustand an einer unverspannten SiGe-Schicht — •H. Reichert1,2, S.C. Moss2 und K. Evans-Lutterodt31Institut für Materialwissenschaften, Bergische Universität Wuppertal — 2Department of Physics, University of Houston, Houston, TX 77204 — 3Lucent Technologies, Murray Hill, NJ

Es wurde die chemische Ordnung eines 3500Å dicken Si0.45Ge0.55 Legierungsfilmes mit Hilfe von Röntgenstreuung untersucht. Die Filme wurden mit CVD bei 625oC auf Si(001) Substrate aufgewachsen. Neben den Reflexen, die einer RS3-Überstruktur zugeordnet werden, treten zusätzliche Reflexe einer neuartigen Schichtstruktur senkrecht zur Oberfläche auf. Es wird gezeigt, daß diese Schichtstruktur an der Oberfläche des Legierungsfilmes lokalisiert ist. Heizen der Proben im UHV bei 750oC für 15 Minuten zerstört diesen Oberflächenordnungszustand irreversibel, wobei die RS3-Überstruktur von der Temperaturbehandlung unbeeinflußt bleibt.

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