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HL: Halbleiterphysik

HL 15: STM

HL 15.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:45–11:00, H3

Ortsaufgelöste Photostrommessungen mit einem STM — •Renate Hiesgen, Stefan Lipps und Dieter Meissner — Institut fuer Energieverfahrenstechnik, Forschungszentrum Jülich

Eine Messmethode ist entwickelt worden, mit der es möglich ist, Messungen des Kurzschluss-Photostromes sowie I/U-Kennlinien in einem STM zusammen mit der Oberflächenstruktur durchzuführen. Die Auflösung im Photostrombild beträgt mindestens 1 nm. Photostrommessungen können sowohl an Luft als auch im Elektrolyten durchgeführt werden. Als Modellhalbleiter ist bisher Wolframdiselenid verwendet worden. Das System Tunnelspitze, Tunnelspalt und Halbleiter verhält sich in Bezug auf Leerlauf- spannung und Kurzschlußstrom wie eine MIS-(metal-insulator- semiconductor) Solarzelle. Die Photostrombilder zeigen, dass es möglich ist, Raumladungszonen zu detektieren, die z. B. an Stufen auf der Oberfläche zu finden sind und zu Änderungen des Flachband- Potentials im Halbleiter führen. Natürliche und künstlich erzeugte Defekte sind im Photostrombild durch die damit verbundenen erhöhten Rekombinationsraten deutlich sichtbar. Neben der qualitativen Analyse der Photostrombilder kann mittel der MIS-Theorie auch eine quantitative Analyse durchgeführt werden, mit der z. B. die Barrierehöhen bestimmt werden können. Außer freien sind auch mit Metallpartikeln modifizierte Oberflächen untersucht worden.