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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: STM

HL 15.3: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, H3

Analyse von Nanostrukturen integrierter Schaltungen mittels Rasterkapazitätsmikroskopie — •A. Born und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik und Mikrostrukturzentrum, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11 a, D-20355 Hamburg

Heutige integrierte Schaltungen (IC) besitzen minimale Strukturen von 350 nm. Labormuster haben jedoch schon die 100 nm-”Grenze” unterschritten. Bei diesen Größenverhältnissen wird der genaue Verlauf des Dotierungsprofils immens wichtig. Um solche Messungen durchzuführen, wurde ein Rasterkraftmikroskop (RKM) mit einem Kapazitätssensor zu einem Rasterkapazitätsmikroskop (RKaM) kombiniert. Der Sensor besitzt eine spektrale Rauschdichte von 0.001 aF/ √Hz und ermöglicht die Bestimmung von Dotierungen im Bereich von 10−15 cm−3 bis 1020 cm−3 mit einer lateralen Auflösung von bis zu 20 nm. Vorgestellt werden erste Ergebnisse zur Analyse von IC-Dotierungsstrukturen, wobei speziell die dabei auftretenden Probleme bei Messungen mit einem RKaM diskutiert werden. Hierzu gehören insbesondere das Messen von CV-Kurven und deren Analyse.

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