Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: STM

HL 15.6: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:45–12:00, H3

Demonstration eines THz-Nahfeldmikroskops — •M. Koch^1,2, S. Hunsche¹, M.C. Nuss¹, D. Mittleman³ und J. Feldmann² — ¹Bell Laboratories, Lucent Technologies, Holmdel, NJ 07733, USA — ²Sektion Physik, LMU München, Amalienstr. 54, 80799 München — ³Rice University, Houston, TX 77251, USA

Die stürmische Entwicklung auf dem Gebiet der zeitaufgelösten THz-Spektroskopie hat die Realisierung eines bildgebenden Verfahrens zur Ferninfrarot-Materialuntersuchung ermöglicht (THz-Imaging) [1]. Mit dieser Technik können z.B. Inhomogenitäten in der Dotierungsdichte von epitaktischen Halbleiterfilmen untersucht werden. Bedingt durch die - im Vergleich zu sichtbarem Licht - extreme Langwelligkeit der verwendeten Strahlung ist das räumliche Auflösungsvermögen dieses Verfahrens jedoch auf etwa 0.4 mm begrenzt, was für viele Anwendungen unzureichend ist. Wir stellen hier ein THz-Nahfeldmikroskop vor, mit dem wir eine viermal bessere Auflösung erzielen. Dabei wird die THz-Strahlung in eine trichterförmige Metallspitze fokussiert, deren Austrittsöffnung kleiner ist als der beugungsbegrenzte Fokusdurchmesser. Die zu untersuchende Probe wird dann in dem Nahfeld vor dieser Öffnung abgerastert. Die Ergebnisse erster Messungen werden vorgestellt.
[1] B.B. Hu und M.C. Nuss, Optics Letters 20, 1716 (1995).