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HL: Halbleiterphysik
HL 15: STM
HL 15.8: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 12:15–12:30, H3
STM Untersuchungen an passivierten GaAs-Oberflächen — •Dietrich Coordes, Wilfried Clauß und Dieter P. Kern — Universität Tübingen, Institut für Angewandte Physik, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tübingen
Mit einem Rastertunnelmikroskop wird die Passivierung von n-dotierten
GaAs(100)-Oberflächen an Luft untersucht. Die Passivierung findet
in verschiedenen Lösungen unter Verwendung von Schwefelverbindungen
statt. Es werden Lösungen mit P2S5 und (NH4)2S in
Wasser und in Alkohol verwendet, desweiteren werden Alkanthiole
als Passivierungsmedium getestet.
Die GaAs-Proben werden mit XPS untersucht, um Belegungsdichte und
Zusammensetzung der Oberflächen zu erfassen. Mit dem Tunnelmikroskop
wird die Topographie abgebildet und Strom-Spannungskennlinien
aufgenommen um die Grösse der scheinbaren Bandlücke zu bestimmen.
Einen weiteren Vergleichsparameter bildet die Oberflächenrauhigkeit.
So soll die Beständigkeit der Passivierungen an Luft erfasst, und
die auftretende Oxidation untersucht werden.