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HL: Halbleiterphysik

HL 15: STM

HL 15.8: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 12:15–12:30, H3

STM Untersuchungen an passivierten GaAs-Oberflächen — •Dietrich Coordes, Wilfried Clauß und Dieter P. Kern — Universität Tübingen, Institut für Angewandte Physik, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tübingen

Mit einem Rastertunnelmikroskop wird die Passivierung von n-dotierten GaAs(100)-Oberflächen an Luft untersucht. Die Passivierung findet in verschiedenen Lösungen unter Verwendung von Schwefelverbindungen statt. Es werden Lösungen mit P₂S₅ und (NH₄)₂S in Wasser und in Alkohol verwendet, desweiteren werden Alkanthiole als Passivierungsmedium getestet.
Die GaAs-Proben werden mit XPS untersucht, um Belegungsdichte und Zusammensetzung der Oberflächen zu erfassen. Mit dem Tunnelmikroskop wird die Topographie abgebildet und Strom-Spannungskennlinien aufgenommen um die Grösse der scheinbaren Bandlücke zu bestimmen. Einen weiteren Vergleichsparameter bildet die Oberflächenrauhigkeit. So soll die Beständigkeit der Passivierungen an Luft erfasst, und die auftretende Oxidation untersucht werden.