Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.11: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:30–18:45, H1

p-i-n-Photodioden auf Basis von ZnSe in MBE-Technik — •A. Gerhard, C. Schumacher, K. Schüll, M. Ehinger, W. Faschinger und G. Landwehr — Universität Würzburg, Phys. Inst., Experimentelle Physik III, Am Hubland, 97074 Würzburg

Detektoren im blauen bis ultravioletten Spektralbereich sind nach wie vor Gegenstand aktueller Forschung. Insbesondere die Unempfindlichkeit gegenüber infraroter Strahlung ist von besonderem Interesse [1]. Hier bieten Verbindungshalbleiter mit großer und variabler Bandlücke Vorteile gegenüber klassischen Detektoren auf Basis von Si.

Es wurden p-i-n-Strukturen aus ZnSe/ZnSeTe in MBE-Technik auf GaAs hergestellt. Die Responsivität konnte damit gegenüber vergleichbaren p-n-Strukturen aus unserer Gruppe um ca. drei Größenordnungen, gegenüber vergleichbaren Si-Photodioden im blauen Spektralbereich um ca. eine Größenordnung gesteigert werden.

Die spektrale Photostromverteilung konnte mit theoretischen Modellen aus [2] unter Zuhilfenahme von gemessenen κ- und n-Spektren für reines ZnSe beschrieben werden. Damit eröffnen sich neue Möglichkeiten der Charakterisierung von ZnSe-Schichtstrukturen.

[1] Yoon Soo Park, Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diods, Chiba Univ. Japan, March 5-7, 1996

[2] Van de Wiele, in Solid State Imaging, ed. by P.G. Jespers, Van de Wiele and M.H. White, Noordhoff, Leyden, 1976, pp. 47-90