Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.14: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 19:15–19:30, H1

Leitfähige ZnSe Substrate für blau-grün emittierende Bauelemente — •H. Wenisch¹, M. Prokesch², M. Fehrer¹, K. Ohkawa¹, D. Hommel¹ und H. Hartmann² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1 , D-28359 Bremen — ²Institut für Kristallzüchtung e.V., Rudower Chaussee 6, D-12489 Berlin

Einer der Hauptgründe für die Verwendung von GaAs statt ZnSe als Substratmaterial bei der Entwicklung von Laserdioden auf ZnSe-Basis ist die mangelnde Verfügbarkeit hochleitfähiger und gleichzeitig strukturell hochwertiger ZnSe Kristalle. Die in dieser Arbeit verwendeten ZnSe Einkristalle wurden mittels SPVT (Seeded Physical Vapor Transport) oder SCVT (Seeded Chemical Vapor Transport) mit Iod als Transportgas gezüchtet. Durch eine Nachbehandlung (Zinkextraktion) wurde reproduzierbar n-Leitung mit einer Ladungsträgerkonzentration von 3–4× 10¹⁷ cm⁻³ und einer Beweglichkeit von 160 cm² V⁻¹ s⁻¹ bei Raumtemperatur erzielt. Temperaturabhängige Hallmessungen und Photolumineszenzuntersuchungen werden diskutiert. Die kristalline Qualitat dieser Substrate ist mit 24 Bogensekunden Halbwertsbreite in der Röntgendiffraktometrie im Vergleich zu undotierten nicht vermindert. Desweiteren werden die physikalischen Eigenschaften im blau-günen Spektralbereich emittierender Bauelemente mit und ohne Wellenleiter vorgestellt, die mittels MBE (molecular beam epitaxy) hergestellt wurden.