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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–16:30, H1

Simultane Beobachtung des Einbaus von Gruppe VII- und Gruppe III-Donatoren in ZnSe und CdTe — •H. Wolf1, T. Filz1, J. Hamann1, St. Lauer1, V. Ostheimer1, Th. Wichert1, A. Burchard2, and D. Forkel-Wirth21Technische Physik, Universit"at des Saarlandes, D-66041 Saarbr"ucken — 2PPE-ISOLDE, Cern, CH-1211 Genf

Zur Untersuchung der Kompensation von Br- und In-Donatoren durch Paarbildung mit akzeptorartigen Defekten wurden in ZnSe und CdTe PAC-Experimente an Kristallen durchgef"uhrt, die gleichzeitig mit den radioaktiven Isotopen 77Br und 111In dotiert waren. Die Dotierung mit 111In erfolgte durch Diffusion ([111In] ≈ 1016 cm−3), die mit 77Br durch anschlie"sende Implantation am Massenseparator ISOLDE ([77Br] ≈ 1018 cm−3). F"ur die Untersuchungen wurden Kristalle sowohl ausschlie"slich mit den radioaktiven Donatoren als auch zus"atzlich mit stabilen In-Donatoren ([In] ≈ 1019 cm−3) dotiert. Nach Tempern der Kristalle (CdTe: 700 K, ZnSe: 800 K) zeigen die Anteile der gebildeten InMVM und BrXVM Paare eine st"arkere Kompensation f"ur Br- als f"ur In- Donatoren, speziell in den hoch n-dotierten Kristallen. F"ur hoch n-dotiertes ZnSe wird im Rahmen des durchgef"uhrten Temperprogramms eine Zunahme kompensierter Br-Donatoren bei gleichzeitiger Abnahme kompensierter In-Donatoren beobachtet. Ein Zusammenhang mit der thermische Stabilit"at von BrXVM und InMVM Paaren wird diskutiert.
Gef"ordert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA

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