Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.5: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:00–17:15, H1

Charakterisierung von MOVPE-Zn(MgS)Se-Quantentopfstukturen — •H. Hamadeh¹, J. Müller¹, H. Kalisch¹, M. Lünenbürger¹, A. Gurskii², G. Yablonskii² und M. Heuken¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, RWTH-Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — ²Institute of Physics, Belarus Academy of Sciences, F. Skaryna pr. 68, 220072 Minsk, Belarus

ZnMgSSe/ZnSe/GaAs-Quantentöpfe und -Heterostrukturen, die mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie hergestellt worden sind, wurden mittels Photolumineszenz- (PL) und Photolumineszenzanregungsspektroskpie (PLE) untersucht. Intensive Emission aus den Quantenzuständen der Töpfe wurde in den PL-Spektren beobachtet. Die PLE-Spektren dieser Zustände zeigten mehrere höherliegende Energieniveaus. Durch Vergleich mit den theoretisch berechneten Energien der Emissionslinien aus diesen Töpfen wurden diese Niveaus als E₁HH₁-, E₁LH₁- und E₁HH₂-Übergänge identifiziert. Der Vergleich der experimentell ermittelten Übergangsenergien mit den theoretisch erwarteten Werten deutet auf ein Bandsprungverhältnis von ΔE_c/ΔE_v≈ 10/90 für eine ZnMgSSe-Schicht mit einem Magnesiumgehalt von 0,10 und einem Schwefelgehalt von 0,16. Optische Pumpversuche an diesen Heterostrukturen wurden mit einem gepulsten Stickstofflaser durchgeführt. Die Optimierung der Strukturen erlaubte die Reduzierung der Laserschwelle auf 20KW/cm² für ein „Separate-Confinement-Heterostructure“-Laser aus ZnMgSSe/(ZnSSe/
ZnSe)_n auf GaAs.