Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.7: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:30–17:45, H1

Biexzitonen in CdZnSe/ZnSe-Nanostrukturen — •K. Herz¹, T. Kümmell¹, O. Breitwieser¹, G. Bacher¹, A. Forchel¹, J. Nürnberger², W. Faschinger² und G. Landwehr² — ¹Technische Physik — ²Experimentelle Physik III, Universität Würzburg

Mittels Photolumineszenz-Spektroskopie wurden die optischen Eigenschaften von Biexzitonen in II-VI Nanostrukturen studiert. Die untersuchten CdZnSe/ZnSe Quantenpunkte und Quantendrähte mit lateralen Abmessungen bis herab zu 30 nm (Quantenpunkte) bzw. 18 nm (Quantendrähte) wurden mit Elektronenstrahl-Lithographie und naßchemischen Ätzen hergestellt. Die optische Anregung der Strukturen erfolgte mit einem gepulsten, frequenzverdoppelten Ti-Saphir Laser. Wir beobachten in Quantenpunkten mit Durchmessern kleiner 70 nm einen Anstieg der Biexziton-Bildungseffizienz mit abnehmender Strukturweite. Aufgrund der Reduktion der Dimension steigt der energetische Abstand von Exzitonen- und Biexzitonenemission, der in Quantenpunkten in erster Näherung durch die Biexzitonenbindungsenergie gegeben ist, von 6 meV bei der 2D-Referenz auf 7.5 meV für 30 nm Quantenpunkte an. Darüberhinaus zeigt ein Vergleich zwischen quasi-null- und quasi-ein-dimensionalen Systemen, daß in Quantenpunkten die Biexziton-Bildungsrate gegenüber Quantendrähten gleicher Strukturgröße signifikant erhöht ist.