Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: Si/Ge II
HL 19.10: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 18:15–18:30, H2
Charakterisierung der direkten optischen Übergänge in verspannten Si1−xGex-Schichten — •Stefan Eckel1, Thomas Ebner1, Klaus Thonke1, Rolf Sauer1 und Horst Kibbel2 — 1Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — 2Daimler-Benz Forschungsinstitut Ulm
Mittels Elektroreflexion wurden die direkten Übergänge in verspannten Si1−xGex-Schichten und in Si1−xGex-Volumenproben untersucht. Die Germaniumgehalte reichten von 0% bis 50% und von 90% bis 100%. Neben den Spannungsverschiebungen der Übergangsenergien in verspannten Schichten gegenüber den Volumenproben wurden auch die Confinement-Effekte in dünnen Si1−xGex-Schichten untersucht. Dabei konnten bei Energien bis zu 6eV die bekannten Strukturen E1, E0′, E0, E2 und E1′ charakterisiert werden. Die Anregung erfolgte sowohl im Niedrigfeld- als auch im Starkfeld-Fall. Bei letzterem wurden durch Variation der Anregungsspannung zusätzliche Informationen über die effektiven Massen gewonnen.