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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.12: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:45–19:00, H2

Thermoreflexion an Si_1−xGe_x-Schichten zur Analyse von Interbandübergängen — •N. Malkomes, K. Dettmer und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, D-38106 Braunschweig

Epitaktische, 1.5µ m dicke Si_1−xGe_x-Schichten (x≈0.4) mit verschiedenen Bufferkonzepten auf (001)-Si wurden im Spektralbereich von 1.7eV bis 3.5eV bei Temperaturen zwischen 80K und 300K mit Hilfe von Thermoreflexionsmessungen untersucht. Dabei werden die Interbandübergänge (E₀, E₀+Δ ₀, E₁, E₁+Δ₁, E₀′) der Schichten mit der Ge-Endkonzentration erfaßt. Die Modulationsspektren werden mit entsprechenden Linienformen unter Verwendung der ellipsometrisch bestimmten (pseudo-) dielektrischen Funktion angepaßt und daraus die genauen spektralen Lagen und Arten der kritischen Punkte (M₀, M₁, M₂, M₃) bestimmt. In Verbindung damit wird die Qualität der Bufferschichten diskutiert.