Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.3: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:30–16:45, H2

Si-SiGe Tunnelstrukturen — •F. Findeis, C. Engel, P. Schittenhelm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Zur Realisierung von Tunnelbauelementen auf Si-Basis wurde selbstorganisiertes Wachstum von Ge-Inseln ausgenützt.
Die Proben wurden mittels MBE im kohärenten Stranski-Krastanow Wachstumsmodus hergestellt. Die dabei entstehenden Ge-Inseln liegen im Bereich eines hochdotierten pn-Übergangs. So wird die erhöhte Wahrscheinlichkeit für das Interbandtunneln von Ladungsträgern in Germanium ausgenützt, während der Prozeß in die herkömmliche Siliziumtechnologie integrierbar ist.
Anhand von Strom-Spannungskennlinien und deren Ableitung wurde der Einfluß von Wachstumsparametern wie Substrattemperatur und Dotierkonzentration des p- und n-Bereiches untersucht. Der Vergleich mit Referenzproben und temperaturabhängigen Messungen im Bereich zwischen 4.2 K und 300 K zeigen eine deutliche Erhöhung des Tunnelstroms in den Proben mit Ge-Inseln.