Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.8: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:45–18:00, H2

Phononenspektroskopie an Germanium-reichen SiGe-Kristallen — •K.F. Dombrowski¹, M. Franz¹, K. Pressel¹, B. Dietrich¹, A. Barz², P. Dold² und K.W. Benz² — ¹Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder) — ²Kristallographisches Institut der Universität Freiburg, Hebelstr. 25, 79104 Freiburg

Mit Raman- und Infrarotabsorptionsspektroskopie untersuchen wir das Phononenspektrum Ge-reicher GeSi Kristalle. Hochaufgelöste Absorptionsmessungen an der lokalen Gitterschwingung des Siliziumatoms im Germaniumgitter bei 385 cm⁻¹ zeigen eine Feinstruktur, die im Hinblick auf Isotopieeffekt und Nahordnung diskutiert wird. Im Bereich der akustischen Phononen beobachtet man schon bei geringen Si-Anteilen Beiträge, die in reinem Germanium nicht beobachtet werden. Diese Aufweichung der Auswahlregeln im Mischkristall beobachten wir auch auf der Si-reichen Seite. Ramanmessungen an Proben mit zunehmendem Si-Anteil zeigen eine stetige Abnahme der Energie der Ge-Ge Mode im Bereich 300 cm⁻¹. Im Bereich der GeSi Moden bei etwa 400 cm⁻¹ beobachten wir eine Aufspaltung der Ramanlinien, deren Intensitätsverhältnisse sich mit wachsendem Si-Anteil verändern. Eine Mode kann den GeSi Phononen zugeordnet werden, die andere der lokalisierten Gitterschwingung des Si-Atoms im Ge-Kristall, die mit wachsendem Ge-Anteil immer schwächer wird.