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16:00 |
HL 19.1 |
Transiente Photoströme in a-SiGe:H pin Solarzellen mit gradiertem Bandgap. — •B. Stannowski, Th. Eickhoff, S. Bröcheler, H. Stiebig und J. Fölsch
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16:15 |
HL 19.2 |
Fortschritte im Surfactant Modifizerten Wachstum von Ge/Si(111) — •M. Horn-von Hoegen, M. Kammler, D. Reinking und K. Hofmann
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16:30 |
HL 19.3 |
Si-SiGe Tunnelstrukturen — •F. Findeis, C. Engel, P. Schittenhelm und G. Abstreiter
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16:45 |
HL 19.4 |
Ellipsometrische Messungen an Si/Ge-Supergittern — •K. Litfin, M. Vergöhl, K. Dettmer und J. Schoenes
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17:00 |
HL 19.5 |
Light Emission from Si-Si1−xGex Quantum Dots with Different Internal Strain — •C.M. Sotomayor Torres, Y.S. Tang, S.E. Hicks, W.-X. Ni, C.D.W. Wilkinson, and G.V. Hansson
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17:15 |
HL 19.6 |
Löcherkanäle in modulationsdotierten SiGeC-Heterostrukturen auf Si(100) — •H. Seeberger, K. Brunner, W. Winter, K. Eberl, M. Glück und U. König
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17:30 |
HL 19.7 |
Optimierung von Ge-Profilen in SiGe-HBT durch Simulation des Kleinsignalverhaltens — •H. Förster, D. Nuernbergk, F. Schwierz, G. Paasch und M. Roßberg
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17:45 |
HL 19.8 |
Phononenspektroskopie an Germanium-reichen SiGe-Kristallen — •K.F. Dombrowski, M. Franz, K. Pressel, B. Dietrich, A. Barz, P. Dold und K.W. Benz
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18:00 |
HL 19.9 |
Photoleitung an Si/Ge–Buffern, -Übergittern und -Multi Quantum Wells — •R. Joswig, D. Menzel, K. Dettmer und J. Schoenes
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18:15 |
HL 19.10 |
Charakterisierung der direkten optischen Übergänge in verspannten Si1−xGex-Schichten — •Stefan Eckel, Thomas Ebner, Klaus Thonke, Rolf Sauer und Horst Kibbel
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18:30 |
HL 19.11 |
Ellipsometrische Untersuchungen an Si/Ge MQW — •M. Broschwitz, K. Litfin, M. Vergöhl, K. Dettmer und J. Schoenes
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18:45 |
HL 19.12 |
Thermoreflexion an Si1−xGex-Schichten zur Analyse von Interbandübergängen — •N. Malkomes, K. Dettmer und J. Schoenes
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