Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Störstellen I
HL 2.9: Talk
Monday, March 17, 1997, 12:30–12:45, H1
EL2-induzierte Reflektionänderung in semi-isolierendem GaAs — •Volker Alex1 und Jörg Weber2 — 1MPI für Festkörperforschung Heisenbergstr.1 70569 Stuttgart — 2MPI für Festkörperforschung Heisenberstr. 1 70569 Stuttgart
Der As-Antisite korrellierte EL2-Defekt kann durch Bestrahlung mit Licht einer Wellenlänge von etwa 1000nm bei tiefen Temperaturen in einen ungeladenen metastabilen Zustand überführt werden. Wir stellen Photolumineszenz- und Reflektionsmessungen an semi-isolierendem GaAs im Bereich der selektiven Donator-Akzeptor-Paar Anregung vor. Der Übergang des EL2 in seinen metastabilen Zustand bewirkt hierbei ein vollständiges Verschwinden der selektiven Paar-Lumineszenz und eine starke Erhöhung der Reflektion. Wir erklären diese Beobachtungen mit EL2-induzierten Änderungen des Kompensationsgrades der Proben.