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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:45–17:00, H3

Mikro-Raman Facettentemperaturmessungen an Hochleistungslaserdioden — •Roland Puchert, Artur Bärwolff, Jens W. Tomm, Albrecht Lau und Michael Voß — Max-Born-Institut, Rudower Chaussee 6, 12489 Berlin

Im Hochleistungsbetrieb von Laserdioden-Arrays treten an den Facetten hohe Temperaturen auf, die dort zu beschleunigten Degradationsprozessen und letztlich zum Ausfall von einzelnen Emissiongebieten oder der Diode führen. Durch die Kopplung der benachbarten Emissionsgebiete kommt es insbesondere zu einer Variation der Nahfeld- intensität (lokale Intensitätsüberhöhungen) und damit zu einer unterschiedlichen Auf- heizung bestimmter Facettenbereichen. Wir haben die Facettentemperaturen mittels Mikro-Raman-Spektroskopie an GaAlAs DQW Streifenarrays unter Betriebsbedingungen bestimmt. Ziel der Untersuchungen war die Bestimmung der Grenzbelastung der Arrays beim Ausfall und der Abhängigkeit der Facettentemperatur von der Nahfeldintensität. Die Ergebnisse zeigen, daß bei diesen Dioden die Facettentemperatur mit der Nahfeldintensität gut korreliert. Für den Ausfall von Einzelemittern konnten Facettentemperaturen bis zu 525 Grad C im cw-Betrieb nachgewiesen werden.