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HL: Halbleiterphysik
HL 20: HL-Laser
HL 20.5: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 17:00–17:15, H3
Untersuchung der Kopplung und des Ladungsträgerverlustes in GaInP–DFB–Lasern — •C. Jerichow, H.–P. Gauggel, C. Geng, F. Scholz und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
Laser in GaInP/AlGaInP zeigen gegenüber Lasern anderer Materialsysteme ein Ladungsträger–Leckproblem, das sich durch relativ hohe Schwellströme und geringe T0–Werte äußert. Hinzu kommt bei DFB–Lasern ein Ladungsträgerverlust am strukturierten Bragg–Gitter. Durch geeignete Wahl der Gitterposition, d.h. durch Optimierung der Vertikalstruktur hinsichtlich Kopplung der Lasermode mit dem DFB–Gitter und Vermeidung von Ladungsträgerverlusten, kann diesem Problem jedoch entgegengewirkt werden.
In diesem Beitrag stellen wir die Herstellung von GaInP–DFB–Lasern vor und diskutieren die Ladungsträgerrekombination anhand von Lebensdauermessungen an unterschiedlichen Vertikalstrukturen und Schwellstromdichten der entsprechenden Laser–Bauelemente. Die Kopplung des Lichtfeldes an das Gitter wird durch Rechnungen mit Hilfe der optischen Matrixtheorie berücksichtigt.