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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.6: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:15–17:30, H3

Pikosekunden-Hochleistungs-Laserdiode mit bis zu 380 W Spitzenleistung bei 40 ps Pulshalbwertsbreite — •D. Kuhl¹, J. Frahm¹, W. Bauer¹, E. Portnoi², G. Venus² und A. Khazan² — ¹Advanced Photonic Systems GmbH, Berlin — ²Physikalisch-Technisches Institut A.F. Joffe, St. Petersburg

Durch Implantation hochenergetischer Ionen in kommerziell erhältlichen Dioden wurden auf der Basis ultraschneller sättigbarer Absorber gütegeschaltete ps-Laserdioden realisiert. Breitflächige (150µ m Streifenbreite) Dioden ergaben nach Implantation durch die Stirnflächen Pulsspitzenleistungen bis zu 380W. Eine laterale Implantation in 70µ m breite Streifengeometrielaser lieferte bis zu 45 W Pulsspitzenleistung in eine Single-Mode.