Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.7: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:30–17:45, H3

Stimulierte Emission aus einer optisch gepumpten InAs Monolage in bulk-GaAs — •A.R. Goñi, M. Stroh, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die stimulierte Emission von Licht aus einer einzelnen, in GaAs eingebetteten InAs Monolage wurde bei Energien von ca. 100 meV unterhalb der GaAs Bandlücke beobachtet. Die Probe wurde mit metallorganischer Gas-Phasen-Epitaxie (MOCVD) gewachsen und besteht aus einer einzigen Monolage InAs innerhalb einer 600 nm dicken GaAs Schicht. Auf beiden Seiten wurden auch zwei Al_0.5Ga_0.5As Schichten als Brechungsindex-Wellenleiter gewachsen. Zwei gegenüberliegende Spaltflächen dienen als Resonator mit Längen zwischen 250 und 600 µm. Lasertätigkeit wird durch optisches Pumpen mit einem Ti:Saphir-Laser (750 nm) für Leistungsdichten oberhalb einer Schwellendichte von ca. 1.3 kW/cm² bei 2 K erreicht. Das typische diskrete Spektrum der verstärkten longitudinalen Moden ist im Temperaturbereich bis zu 100 K beobachtbar. Die Tatsache, daß bei der Laser Emission keinerlei Renormierungseffekte der Bandlückenenergie auftreten, deutet auf einen exzitonischen Mechanismus für die Besetzungsinversion hin.