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16:00 |
HL 20.1 |
Laseremission in photonischen Quantenpunkten — •M. Röhner, F. Schäfer, H. Zull, J.P. Reithmaier und A. Forchel
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16:15 |
HL 20.2 |
Verringerung der thermischen Belastung der Facetten bei asymmetrisch verspiegelten Hochleistungs-Laserdioden — •U. Menzel, A. Bärwolff, R. Puchert, J.W. Tomm und H. Wenzel
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16:30 |
HL 20.3 |
Untersuchung des Alterungsverhaltens von Hochleistungsdiodenlaserarrays mit Methoden der optischen Spektroskopie — •J.W. Tomm, A. Bärwolff, R. Puchert, U. Menzel, A. Jaeger und T. Elsaesser
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16:45 |
HL 20.4 |
Mikro-Raman Facettentemperaturmessungen an Hochleistungslaserdioden — •Roland Puchert, Artur Bärwolff, Jens W. Tomm, Albrecht Lau und Michael Voß
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17:00 |
HL 20.5 |
Untersuchung der Kopplung und des Ladungsträgerverlustes in GaInP–DFB–Lasern — •C. Jerichow, H.–P. Gauggel, C. Geng, F. Scholz und H. Schweizer
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17:15 |
HL 20.6 |
Pikosekunden-Hochleistungs-Laserdiode mit bis zu 380 W Spitzenleistung bei 40 ps Pulshalbwertsbreite — •D. Kuhl, J. Frahm, W. Bauer, E. Portnoi, G. Venus und A. Khazan
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17:30 |
HL 20.7 |
Stimulierte Emission aus einer optisch gepumpten InAs Monolage in bulk-GaAs — •A.R. Goñi, M. Stroh, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg
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17:45 |
HL 20.8 |
Intensit"atsdynamik im Nahfeld einer 980nm RW-Pumplaserdiode — •M.O. Ziegler, J. Greif, G. Jennemann, I. Fischer, H. Asonen, and W. Els"a"ser
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18:00 |
HL 20.9 |
Einflu"s der Wellenleiterschicht auf die Nahfeldphotostromspektren von Halbleiterlaserdioden. — •Ch. Lienau, A. Richter, and J. W. Tomm
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18:15 |
HL 20.10 |
Untersuchungen zur epitaktischen Vertikalstruktur von AlGaInP-Laserdioden bei 630 nm — •V. Frey, R. Winterhoff, J. Kuhn, H. Schweizer, and F. Scholz
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18:30 |
HL 20.11 |
Modellierung von Mehrsegment-Halbleiterlasern mit dem Transmission Line Laser Model — •G. Jennemann, M.O. Ziegler, I. Fischer, W. Elsäßer und E. Lach
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18:45 |
HL 20.12 |
Antireflexbeschichtete Bleichalkogenid Laserdioden — •H. Schlegelmilch, Th. Beyer, A. Lambrecht und M. Tacke
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19:00 |
HL 20.13 |
Untersuchungen zu optischer Verstärkung und Schwellstromverhalten von 670 und 630 nm GaInP-Quantenfilmlasern — •S. Heppel, A. Moritz, C. Geng, V. Frey, R. Winterhoff, F. Scholz und A. Hangleiter
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19:15 |
HL 20.14 |
Mikroskopische Beschreibung der Emissionsdynamik von Halbleiter-Mikrolasern im magnetischen Feld — •H. C. Schneider, F. Jahnke, and S. W. Koch
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