Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 21: Amorphe Halbleiter
HL 21.10: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 18:15–18:30, H4
Spinabhängiger Transport in a-Si:H bei verschiedenen Mikrowellenfrequenzen — •M. W. Bayerl, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching
Der empfindliche Nachweis von paramagnetischen Zuständen mit Hilfe der elektrisch detektierten magnetischen Resonanz (EDMR) ist in den letzten Jahren u. a. erfolgreich auf a-Si:H angewendet worden, jedoch beschränkt auf 9 GHz-Messungen. Durch Vergleichsmessungen bei anderen Mikrowellenfrequenzen (434 MHz und 34 GHz) kann einerseits detailliertere spektroskopische Information z. B. zur mikroskopischen Struktur der Zustände sowie zu dem Mechanismus gewonnen werden, der den spinabhängigen Transport bestimmt. Mikrowellenleistungsabhängige Messungen bei den drei Frequenzen zeigen ein Verhalten, das direkt durch das Kaplan-Solomon-Mott Modell (Spin-Paarung) beschrieben wird und liefern Abschätzungen für die Spin-Spin- und die Spin-Gitter-Relaxationszeiten. Bei 434 MHz wird die natürliche Linienbreite der Spinpakete des dangling bonds (1.4 G in a-Si:D), sowie der Einfluß von nicht aufgelöster Hyperfeinwechselwirkung mit Wasserstoffatomen auf die Linienbreite bei verschiedenen Wasserstoffkonzentrationen beobachtet. Die Zuordnung der 200 G Resonanz zu einem exzitonartigen Zustand wird durch die Beobachtung der gleichen Linienform bei 34 GHz bestätigt.