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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.11: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:30–18:45, H4

Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium Suboxide — •R. Janssen¹, U. Karrer¹, D. Dimova-Malinovska² und M. Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut ,Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Central Laboratory for Solar Energy and New Energy Sources, Bulg. Acad. Sci. blvd. Tzarigradsko Chaussee 72, 1784 Sofia, Bulgaria

Mit einer Plasma-CVD Anlage werden unter Verwendung der Prozeßgase SiH₄ und CO₂ amorphe substöchiometrische Siliziumschichten hergestellt. Dabei kann durch Variation des CO₂-Partialdrucks und der eingekoppelten Leistung der Sauerstoffgehalt (und damit die optische Bandlücke) der Schichten eingestellt werden. Die Dotierung der Schichten erfolgt durch die Zugabe von PH₃ oder B₂H₆ zu den Prozeßgasen. Untersucht werden die optischen und elektrischen Eigenschaften der Schichten (Transmission/Reflexion, Photothermische Deflektionsspektroskopie, IR-Spektroskopie, Photolumineszenz, temperaturabhängige Leitfähigkeit). Die Herstellung von Suboxiddioden erfolgt auf TCO-beschichtetem Glassubstrat. Dabei werden amorphe und mikrokristalline p- und n-Schichten für eine effiziente Ladungsträgerinjektion eingesetzt, und die Dicke und optische Bandlücke der i-Schicht variiert. Untersucht werden die I-U Charakteristik der Dioden und die Elektrolumineszenz im sichtbaren und nahen IR-Bereich. Ziel der Arbeit ist die Herstellung effizienter Lichtemitter auf Silizium-Basis für die dreidimensionale Integration in Silizium-Bauelementen.