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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.1: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:00–16:15, H4

Laserkristallisation von amorphen Si-Filmen auf Glas mit Kurzpulslasern im sichtbaren Wellenlängenbereich — •Christian Mühlig, Gudrun Andrä, Joachim Bergmann, Fritz Falk und Ekkehard Ose — Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V., Helmholtzweg 4, 07743 Jena

Amorphe Siliciumschichten auf Glas wurden durch Bestrahlung mit ns-Laserimpulsen im sichtbaren Wellenlängenbereich kristallisiert. Die Struktur der kristallisierten Schichten nach punktweiser und nach gerasterter Bestrahlung wird vorgestellt und mit derjenigen verglichen, die bei der etablierten Bestrahlung mit Excimerlasern entsteht. Die sichtbare Strahlung dringt im Vergleich zur UV- Strahlung der Excimerlaser etwa zehnmal tiefer in die Schicht ein, so daß dickere Schichten ohne Oberflächenzerstörung kristallisiert werden können. Die Laserkristallisation amorpher Siliciumschichten ist für mikroelektronische Anwendungen wie auch für die Herstellung kristalliner Dünnschichtsolarzellen von Bedeutung.