Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.6: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:15–17:30, H4

Beschleunigte Degradation von amorphem hydrogenisiertem Silizium mittels Xenon-Blitzlampen — •D. Ellenberger, F. Diehl, B. Schröder und H. Oechsner — Universität Kaiserslautern, FB Physik, Postfach 3049, D-67653 Kaiserslautern

Die Degradation von amorphem hydrogenisiertem Silizium (a-Si:H) mittels Xe-Blitzlampen wurde untersucht. Bei Pulslängen von 2µs und Blitzfrequenzen zwischen 50 und 300 Hz wurde eine mittlere Intensität von ca. 100 mW/cm² eingestellt. Unter diesen Bedingungen läßt sich eine beschleunigte Alterung von a-Si:H-Schichten bei geringer Probenerwärmung (wenige K) realisieren. Für die Defekterzeugung wird im Gegensatz zum Verhalten bei kontinuierlicher (cw) Lichtbestrahlung im mittleren Zeitbereich eine Zunahme der Defektdichte (gemessen mit CPM) mit t^1/2 (t=Bestrahlungszeit) festgestellt. Im Unterschied zur cw-Licht-degradation wird eine lineare Abhängigkeit der Defektdichte von der mittleren Intensität gemessen. Bei Degradationsexperimenten mit gleichbleibender Pulshöhe und konstant gehaltenem Produkt aus Blitzfrequenz und Belichtungszeit wird im Rahmen der Meßgenauigkeit eine konstante Zahl von Defekten erzeugt. Aus den experimentellen Ergebnissen konnte eine f^−1/2-Abhängigkeit der Defekterzeugung von der Blitzfrequenz f abgeleitet werden. Die experimentell gefundenen Ergebnisse sind mit einem von Stutzmann und Mitarbeitern 1991 beschriebenen Modell in guter Übereinstimmung.