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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Amorphe Halbleiter

HL 21.9: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:00–18:15, H4

Elektronische Eigenschaften von Laserinterferenz-rekristallisiertem µc–Si — •B. Dahlheimer, U. Karrer, C.E. Nebel und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Durch ein Laserinterferenzverfahren mit einem frequenzverdoppeltem Nd:YAG-Laser werden Bor–dotierte a–Si–Schichten rekristallisiert. Durch Interferenzeffekte werden zuerst Seedkristalle in den amorphen Schichten erzeugt. Danach findet ein laserstimuliertes Wachstum statt, das zu hochleitenden µc–Si–Schichten führt (σ ≥ 2000S/cm). Die mit Halleffekt gemessenen Löcherbeweglichkeiten von ≃ 10 cm²/Vs bestätigen die qualitativ hochwertigen strukturellen Eigenschaften, die mit Röntgenbeugung und AFM bestimmt werden. Das mit gepulstem Laserlicht stimulierte Wachstum führt zu sehr großen Kristalliten (>100nm), was die hohe Beweglichkeit begründet. Diese neuartige Laserkristallisierungstechnik wurde hinsichtlich Laserintensität, Pulsfolge und Substrattemperatur optimiert, was im Rahmen dieses Beitrags beschrieben wird.