Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.101: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
fs-Ladungsträgerdynamik in oberflächennahen Bereichen von GaAs — •R. Ziebold, G. Böhne und R. G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen
In 2-Farb-Anregungs- und Testexperimenten mit fs-Laserpulsen (ℏω>EGap+ℏωLO) an GaAs bei T=300 K wurde außer den zeitlichen Änderungen der reflektierten und der transmittierten Intensitäten (ΔR, ΔT) auch die Änderung des Reflexionswinkels Δα der Testpulse ortsaufgelöst gemessen[1].
Im Bereich einiger ps nach der Pulsanregung sind durch die räumlich inhomogene Ladungsträgeranregung (Durchmesser 16 µm, Absorptionslänge 1 µm) der Brechungsindex n(r→) und der Extinktionskoeffizient κ(r→) moduliert. Dies führt zu einer Änderung der Reflexionsrichtung, die durch Δ κ dominiert wird. Während die Reflexionswinkeländerung sensitiv auf Δ κ in oberflächennahen Bereichen ist, findet in Transmissionsmessungen eine räumliche Mittelung über die Probendicke statt. Wir vergleichen die Resultate beider Experimente und finden im ersten Fall ein deutlich schnelleres Abfallen von Δ κ. Dieses Verhalten erklären wir mit dem Ladungsträgertransport aus Schichten mit hoher optischer Anregung in tieferliegende Schichten geringerer Anregung.
Diese Arbeit wird im Rahmen des SFB 345 gefördert.
[1] O. B. Wright, K. Kawashima, Phys. Rev. Lett. 69, 1668 (1992)