Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.11: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

AFM-Untersuchungen der Oberfl"achenmorphologie von hexagonalem Siliziumkarbid — •F. Wischmeyer, D. Leidich, and E. Niemann — Daimler-Benz Forschungsinstitut Frankfurt, Goldsteinstr. 235, 60528 Frankfurt a. M.

Bei der CVD-Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid kommt der Substratvorbehandlung eine besondere Bedeutung zu. Die durch Politur gesch"adigten Substratoberfl"achen weisen eine hohe Dichte an Polierriefen auf, die einen st"orenden Einflu"s auf die Morphologie der Epischicht haben. F"ur die Epitaxie haben sich zur c-Achse fehlorientierte Substrate als g"unstig erwiesen, da durch die Vorgabe von regelm"a"sigen Stufen an der Kristalloberfl"ache ein bevorzugtes Wachstum der Epischicht an den Kanten erm"oglicht wird. Einschl"usse anderen Polytyps (3C-SiC) in der Epischicht k"onnen so reduziert werden. In diesem Beitrag werden Atomic Force Microscope (AFM)-Untersuchungen in-situ vorbehandelter 6H- bzw. 4H-SiC Substrate verschiedener off-axis Orientierungen vorgestellt. Der Einflu"s der Substratvorbehandlung auf die Morphologie der Epischichten soll genauer diskutiert werden.