DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.12: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Oberflächenzusammensetzung von 6H-SiC(0001) nach reaktivem Ionenätzen — •N. Sieber, M. Hollering und L. Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

Reaktives Ionen Ätzen RIE ist eine geeignete Methode zur Strukturierung von SiC Halbleiterbauteilen. Unter diesem Aspekt wurde das Ätzverhalten in Abhängigkeit der Plasmaparameter (Druck, Gasfluß, Elektrodentemperatur) und der Zusammensetzung der verwendeten Gase
CHF3 und O2 (Sauerstoffanteil von 0% bis 100%) untersucht, wobei eine maximale Ätzrate von 1µm/min erzielt wurde. Die chemische Zusammensetzung der Oberfläche wurde mit Hilfe von röntgeninduzierter Photoelektronenspektroskopie (XPS) vor und nach einem Ausheilschritt bei 850C untersucht. Dabei stellte sich heraus, daß die SiC Oberfläche nach der Plasmabehandlung mit einer kohlenstoff- und fluorreichen Schicht (typische Dicke 3-5nm) bedeckt ist, welche nach dem Anlassen bei 850C in eine graphitartige, fluorarme C-Schicht mit einer etwa 20% geringeren Dicke übergeht. Die Bestimmung des Tiefenprofils mittels Ar+ -sputtern und XPS ergab ein Konzentrationsgefälle des Fluorgehalts von der Oberfläche zu den tieferliegenden C-Schichten. Die kohlenstoffreiche Schicht konnte in einem H2-Plasma nahezu vollständig entfernt werden. Nach der RIE-Behandlung mit anschließenden H2-Plasma und Anlassen bei 1000C befand sich die Oberfläche in einem großenteils wohlgeordneten Zustand (LEED (1×1) bei 40eV).

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1997 > Münster