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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.13: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Adsorption von Cs auf SiC — •V. van Elsbergen und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg, Lotharstrasse 1-21, D-47048 Duisburg

Es wurde die Adsorption von Cs auf 3C-, 4H- und 6H–SiC bei tiefen Temperaturen (170 K) untersucht. Die Präparation der SiC–Proben erfolgte durch Heizen in einem Si–Atomstrahl und lieferte reine und wohlgeordnete Oberflächen. Dies wurde mit Photoemissionsspektroskopie (XPS) und Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) überprüft. Das Wachstum von Cs auf SiC untersuchten wir mit XPS. Unsere Untersuchungen zeigen, daß Cs bei tiefen Temperaturen lagenweise aufwächst. Die Cs–Schicht wird beim Wachstum der zweiten Monolage metallisch. Die Ionisierungsenergie I der reinen und zunehmend mit Cs bedeckten Oberflächen wurde aus der Weite der mit He I–Strahlung aufgenommenen Photoemissionsspektren (UPS) bestimmt. Die Austrittsarbeit Φ dieser Flächen ermittelten wir mit einer kalibrierten Kelvin–Sonde (CPD). Die Position des Fermi–Niveaus in Bezug zum VBM und damit die Barrierenhöhe des metallischen Cs–SiC Kontakts erhielten wir aus der Differenz von I und Φ. Die von uns und anderen bestimmten Barrierenhöhen für die unterschiedlichen Metall–SiC Systeme werden im Rahmen des MIGS–und–Elektronegativitätmodells diskutiert.