Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.19: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Herstellung von Microcavity-Quantenpunktlasern mittels Spinodaler Phasentrennung — •R. Schur¹, F. Sogawa², M. Nishioka², S. Ishida² und Y. Arakawa² — ¹Inst. f. Festkörperphysik, Techn. Univ. Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo, 7-22-2 Roppongi, Minato-ku, Tokyo 106, Japan

Die Herstellung und optische Charakterisierung eines Microcavity-Lasers mit einer aktiven Schicht aus InGaAs/GaAs Quantenpunkten wird vorgestellt. Die Quantenpunkte bilden sich während der Deposition von In_xGa_1−xAs mit einem nominellen In-Gehalt von x=0.03 auf (100) GaAs Substraten in einem hot-wall MOCVD Reaktor. Während der Ablagerung wird die Wachstumstemperatur von 550⁰C auf 450⁰C erniedrigt. Dieses Verfahren stellt eine neue Möglichkeit zur Züchtung von selbstorganisierten Quantenpunkten dar [1]. Zur Realisierung eines Quantenpunktlasers wurden die Quantenpunkte als aktive Schicht in eine 4 λ Microcavity mit AlAs/Al_0.2Ga_0.8As Distributed-Bragg-Reflektoren integriert (λ=950 nm). Die Strukturen wurden mit AFM, TEM, XPS und PL charakterisiert. Die Modellierung der Input- Outputcharakteristik mit einem Ratengleichungsmodell ergibt einen Wert von 8 x 10⁻³ für den Kopplungsparameter β, was gegenüber gewöhnlichen Halbleiterlasern eine Erhöhung der Kopplung der spontanen Emission in den Lasermodus um ca. 3 Größenordnungen darstellt.

[1] R. Schur, M. Nishioka, M. Kitamura, T. Arakawa, and Y. Arakawa, Ext. Abst. The 57th JSAP Spring Meeting 28a-ZX-6(1996)