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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.1: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Selbstorganisierendes Wachstum von Silizium auf strukturierten Oberflächen — •F. Kaesen, H. Geiger, S. Pompl, H. Baumgärtner und I. Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg

Bei geeigneter Wahl der Prozeßparameter entstehen bei der Molekularstrahlepitaxie von Silizium auf vorstrukturierte Substraten selbstorgansierende Spitzen und Schneiden. Ähnlich wie bei der Molekularstrahlepitaxie durch Mikroschattenmasken bilden sich (111)Facetten aus. Spitzen die mit diesen Methoden hergestellt werden, zeigen jedoch kleine, aber charakteristische Unterschiede, die nur durch verschiedene Wachstumsmodelle erklärt werden können. Diese zwei Wachstumsmethoden werden anhand der Modelle verglichen und ihre Eignung zur Herstellung von Bauelementen verglichen.