Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.2: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Modellierung von Makroporenwachstum in n-Silizium — •M. Rauscher und H. Spohn — Sektion Physik, Ludwig-Maximilians-Universität München, Theresienstr. 37, 80333 München

Makroporen in n-Silizium entstehen beim anodischen Ätzen von (100)-Oberflächen in Flußsäure. Die lokale Ätzrate an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und dem Elektrolyten ist eine Funktion der Stromdichte, die empirisch bekannt ist. Um die Bildung der Poren zu studieren, muß man die lokale Stromdichte bestimmen.

Die Stromdichte an der Grenzfläche ist durch Drift und Diffusion von Elektronen und Defektelektronen im elektrischen Feld bestimmt. Durch die selbstkonsistente Linearisierung der Driftdiffusionsgleichungen und der Poissongleichung für das elektrische Feld um die Lösung für eine glatte und planare Grenzfläche erhält man eine Dispersionsrelation für die Wachstumsgeschwindigkeit von kleinen Auslenkungen der Oberfläche am Beginn des Ätzprozesses.

Das Ziel unserer Arbeit ist es, den Makroporenabstand als Funktion der Stromdichte, der Säurekonzentration und der angelegten Spannung zu bestimmen, ohne das Wachstum kleiner Strukuren durch die Einführung einer Oberflächenspannung zu unterdrücken.