Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.25: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

MBE Wachstum von CdSe Inseln auf ZnSe — •K. Leonardi¹, K. Ohkawa¹, D. Hommel¹, H. Selke², F. Gindele³ und U. Woggon³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1 , D-28359 Bremen — ²Institut Werkstoffphysik und Strukturforschung, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1, D-28359 Bremen — ³Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Kaiserstraße 12, D-76128 Karlsruhe

Während das Wachstum von Quantenpunkten bei III-V Halbleitern bereits etabliert ist, ist es bisher bei II-VI Halbleitern noch nicht eindeutig gelungen, mittels strukturellen und optischen Methoden derartige Inseln nachzuweisen. Bei den in dieser Arbeit untersuchten Proben wurde mittels MEE (migration enhanced epitaxy) CdSe variabler Dicke auf heteroepitaktisch gewachsenem ZnSe abgeschieden. Für Untersuchungen mittels PL (Photolumineszenz) und TEM (Transmissionselektronenmikroskopie) wurden die Strukturen anschließend überwachsen. Es wird der Einfluß von Wachstumsparametern auf Größe und Dichte der CdSe Inseln diskutiert. Untersuchungen mittels AFM (atomic force microscope) an nicht überwachsenen Strukturen zeigen eindeutig Inselwachstum. Hier werden insbesondere Ergebnisse zur Stabilität der Inseln vorgestellt. Erste PL- und TEM-Untersuchungen deuten allerdings darauf hin, daß es sich bei den überwachsenen Strukturen bisher noch um geschlossene Quantenfilme handelt.