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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.27: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Kathodolumineszenz und Photolumineszenzmessungen an selbstorganisierten GaAs Quantenfäden — •P. Fischer¹, J. Christen¹, M. Takeuchi², G. Austing³, H. Nakashima², M. Grundmann⁴ und D. Bimberg⁴ — ¹Universiät Magdeburg, PSF4120, 39016 Magdeburg — ²ISIR, Osaka University, Japan — ³NTT Basic Research Laboratories, Atsugi, Japan — ⁴Technische Universiät Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin

Die hier untersuchten Quantenfadenproben wurden mit GSMBE auf 3^o oder 6^o nach (111)A verkippten (110) GaAs Substraten hergestellt. Mittels temperatur- und leistungsdichteabhängiger Photolumineszenzmessungen können wir qualitative Aussagen über die Einfangeffizienz sowie deren funktionelle Abhängigkeit von der Temperatur treffen. Der Transport der Ladungsträger entlang des Quantentopfes in der (110) Ebene hinein in die Quantenfäden sowie der Transport entlang der Fäden in lokale Minima wurden detailliert untersucht. Durch das Aufbringen von Masken mittels Elektronenstrahllithographie ist es möglich, gezielt Kathodolumineszenz sowie Mikro-Photolumineszenz von einzelnen Quantenfäden zu messen. Die Veränderung der Wellenlänge und Halbwertsbreite auf Grund der lateralen Fluktuationen der Quantenfäden bestätigen die Ergebisse, die aus Rasterkraftmikroskopie und Hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie gewonnen wurden.